El SiC es el representante de la tercera generación de materiales semiconductores, y sus propiedades físicas únicas (como alta resistencia a la penetración, alta permeabilidad, resistencia a altas temperaturas, resistencia a la antirradiación, etc.) se han logrado en el campo aeronáutico, y las siguientes son sus principales aplicaciones y desarrollos tecnológicos:
1. Escena del área central
Conjunto del sistema de energía aeroespacial
Conversión de energía de alta eficiencia: dispositivo de eficiencia de SiC (como se muestra en la FIG. 2 MOSFET), la eficiencia general del sistema de energía: la relación física es casi 5 veces mayor, el peso de la nave espacial es reducido por el autor y la demanda de «conquistar el peso» está completa.
Resistencia a la radiación: Equipo doméstico de SiC de alta calidad de 400 V), Al final del proyecto, se mantuvo y estableció el entorno de vacío y se llevó a cabo la tarea de exploración del cielo profundo (como se ve en el proceso Moonlight, la persona subió a la Luna).
Simplificación de la disipación de calor: alta disipación de calor, baja demanda de disipación de calor, equipos de disipación de calor reducidos y capacidad de carga.
Innovación basada en el descubrimiento
Capacidad de detección de rayos: tasa de detección de rayos basada en SiC de 5 a 8 veces la de detección de densidad (GaN), resistencia a altas temperaturas (200 ℃ (en viaje), disponible para exploración de distancias súper largas (distancia de exploración Jong-20 Leiden 1000 km, cubriendo todo el estrecho de Hashi).
Seguimiento de múltiples objetivos: la velocidad de formación de paquetes de ondas es del 30%, se pueden dibujar trazos continuos de más de 20 objetivos y se mejora la capacidad de detectar las condiciones del campo.
2. Características de excelencia técnica
A continuación se muestra el rendimiento del SiC en aeronáutica:
Indicadores de rendimiento Equipo de SiC Resultados técnicos
Relación tasa de éxito-cuerpo Alto Bajo Proporción cercana a 5 veces 10
Temperatura de trabajo: resistencia a altas temperaturas de 200 ℃, temperatura baja general de 150 ℃, mejora de la estabilidad a altas temperaturas
Fuerte capacidad para resistir la radiación (en todo el cielo) Capacidad débil para cumplir con el entorno de cielo profundo
Eficiencia de conversión de energía >95% 80–90% Consumo de energía disminuido, tiempo de trabajo extendido 3. Desafío futuro
Dirección de expansión:
Modelo de fuente de energía eléctrica de 1000 mosaicos: admite la demanda de una gran tasa de éxito de las naves espaciales (como en el sistema de energía de la estación aérea).
Fusión multiárea: Integración de la instalación del número de máquinas de seguridad y protección contra rayos de SiC, sistema integrado de construcción de «backup-down»
Desafío actual:
Tasa de salida de cristal: la capacidad actual es de 0,5 metros cuadrados por metro cuadrado, estabilidad a largo plazo.
Límites tecnológicos: distancia de exploración, gran declive, reducción del control de la curvatura de la tierra, demanda de un método innovador de adición de material en botella.
Conclusión
El núcleo del campo aeronáutico en silicio cementado es “cantidad, alta eficiencia, alta disponibilidad”:
Fuente de energía aeroespacial: equipo de exploración de aire profundo, lanzador de descenso;
Relámpagos militares: aviones potentes, aviones superobservables, aviones pesados;
Avance de la nacionalización: El punto culminante del sistema de semiliderazgo de tercera generación de China, con la capacidad de desarrollar y mejorar sus capacidades.
En el futuro, mantendremos la demanda de una mejor ingeniería de materiales, profundizaremos la sistematización y aumentaremos la demanda de defensa militar.